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10月5日，據(jù)多家媒體報(bào)道，臺(tái)積電（TSMC）在2nm制程節(jié)點(diǎn)上取得了重大突破。不過(guò)，2nm工藝將繼續(xù)漲價(jià)。

據(jù)媒體報(bào)道，臺(tái)積電每片300mm的2nm晶圓的價(jià)格可能超過(guò)3萬(wàn)美元，高于之前預(yù)期的2.5萬(wàn)美元，為4/5nm晶圓價(jià)格的兩倍。

另有報(bào)道稱，首個(gè)嘗鮮N2先進(jìn)工藝的客戶，很可能是科技巨頭蘋(píng)果。此外，臺(tái)積電和芯片封裝公司Amkor于近日宣布，兩家公司已簽署了一份諒解備忘錄，將在美國(guó)亞利桑那州合作進(jìn)行芯片生產(chǎn)、封裝和測(cè)試。不過(guò)，上述消息尚未獲得臺(tái)積電方面的證實(shí)。

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臺(tái)積電突傳重大突破

據(jù)多家媒體報(bào)道，臺(tái)積電在2nm制程節(jié)點(diǎn)上取得了重大突破，將首次引入Gate-all-aroundFETs（GAAFET）晶體管技術(shù)。此外，N2工藝還結(jié)合了NanoFlex技術(shù)，為芯片設(shè)計(jì)人員提供了前所未有的標(biāo)準(zhǔn)元件靈活性。

不過(guò)，上述消息尚未獲得臺(tái)積電方面的證實(shí)。

據(jù)報(bào)道，相較于當(dāng)前的N3E工藝，N2工藝預(yù)計(jì)將在相同功率下實(shí)現(xiàn)10%至15%的性能提升，或在相同頻率下將功耗降低25%至30%。更令人矚目的是，晶體管密度將提升15%，這標(biāo)志著臺(tái)積電在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的又一次飛躍。

不過(guò)，伴隨著技術(shù)的升級(jí)，成本也相應(yīng)攀升。據(jù)預(yù)測(cè)，臺(tái)積電每片300mm的2nm晶圓價(jià)格可能突破3萬(wàn)美元大關(guān)，高于早先預(yù)估的2.5萬(wàn)美元。相比之下，當(dāng)前3nm晶圓的價(jià)格區(qū)間約為1.85萬(wàn)至2萬(wàn)美元，而4/5nm晶圓則徘徊在1.5萬(wàn)到1.6萬(wàn)美元之間。顯然，2nm晶圓的價(jià)格將出現(xiàn)顯著增長(zhǎng)。

臺(tái)積電正在建造兩座晶圓廠，利用其2nm級(jí)工藝技術(shù)制造芯片，并斥資數(shù)百億美元購(gòu)買(mǎi)超昂貴的EUV光刻設(shè)備（每臺(tái)設(shè)備約2億美元）等。此外，N2工藝將使用多種創(chuàng)新的生產(chǎn)技術(shù)，這將使臺(tái)積電的成本高于N3E。一般來(lái)說(shuō)，N2可能會(huì)增加更多的EUV光刻步驟，這將增加其成本。例如，臺(tái)積電可能需要退回帶有N2的EUV雙重圖形，這將增加其成本，因此代工廠將這些額外成本轉(zhuǎn)嫁給客戶是合理的。

半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)人士分析指出，晶圓廠在先進(jìn)制程上的投入是巨大的。例如，3納米制程的研發(fā)投資就超過(guò)了40億美元，而關(guān)鍵供應(yīng)鏈的支持功不可沒(méi)。這些投入為臺(tái)積電及其供應(yīng)鏈伙伴，如IP提供商和相關(guān)制程耗材廠帶來(lái)了顯著的營(yíng)業(yè)額增長(zhǎng)。

隨著先進(jìn)制程開(kāi)發(fā)成本的指數(shù)型增長(zhǎng)，IC設(shè)計(jì)高層透露了從28納米到5納米制程的開(kāi)發(fā)費(fèi)用變化。28納米開(kāi)發(fā)費(fèi)用約為0.5億美元，而到了16納米則需要投入1億美元。當(dāng)推進(jìn)到5納米時(shí)，費(fèi)用已高達(dá)5.5億美元，其中包括了IP授權(quán)、軟件驗(yàn)證、設(shè)計(jì)架構(gòu)等多個(gè)環(huán)節(jié)。對(duì)于代工廠來(lái)說(shuō)，投入更是巨額。以3納米制程為例，調(diào)研機(jī)構(gòu)認(rèn)為需要投入40億～50億美元，而構(gòu)建一座3納米工廠的成本則至少約為150億～200億美元。

供應(yīng)鏈業(yè)者表示，先進(jìn)制程的投入是一個(gè)漫長(zhǎng)且資源消耗巨大的過(guò)程，涉及研發(fā)人力、設(shè)備、軟件、材料等多個(gè)環(huán)節(jié)，且往往需要7～10年的時(shí)間。以2納米制程為例，其路徑在2016年就已相當(dāng)明朗，但直到近期試產(chǎn)時(shí)程細(xì)節(jié)才逐漸明確。

隨著2納米制程預(yù)計(jì)在2025年問(wèn)世，供應(yīng)鏈業(yè)者有望迎來(lái)獲利成長(zhǎng)的爆發(fā)期。此外，由于2納米制程需要將晶圓研磨至更薄化，材料方面也有中砂和升陽(yáng)半導(dǎo)體切入鉆石碟、再生晶圓等領(lǐng)域。在再生晶圓方面，2納米的產(chǎn)值約為28納米的4.6倍。隨著擋控片進(jìn)入先進(jìn)制程后，片數(shù)用量也會(huì)相應(yīng)提升。對(duì)業(yè)者來(lái)說(shuō)，這將是一個(gè)量、價(jià)齊揚(yáng)的商業(yè)機(jī)會(huì)。

臺(tái)積電是全球最大的晶圓代工制造商，為蘋(píng)果、英偉達(dá)等客戶提供芯片制造、先進(jìn)封裝技術(shù)等服務(wù)。從業(yè)績(jī)來(lái)看，臺(tái)積電二季度合并營(yíng)收為6735.1億新臺(tái)幣，同比增長(zhǎng)40.1%，高于分析師預(yù)期。凈利潤(rùn)錄得2478.5億新臺(tái)幣，同比增長(zhǎng)36.3%，同樣超出預(yù)期。

臺(tái)積電8月銷售額同比增長(zhǎng)約33%，達(dá)到2508.7億新臺(tái)幣。摩根大通表示，臺(tái)積電在第三季度迄今的營(yíng)收已經(jīng)達(dá)到了摩根大通預(yù)期的68%。該公司8月的強(qiáng)勁銷售表明，第三季度業(yè)績(jī)可能會(huì)超過(guò)其指引。該行維持對(duì)該股的“增持”評(píng)級(jí)，目標(biāo)為1200新臺(tái)幣。

二級(jí)市場(chǎng)上，臺(tái)積電今年以來(lái)股價(jià)累計(jì)上漲近65%，最新市值為25.34萬(wàn)億新臺(tái)幣，折合人民幣約5.5萬(wàn)億元。

蘋(píng)果首家嘗鮮？

據(jù)報(bào)道，臺(tái)積電已規(guī)劃N2工藝于2025年下半年正式進(jìn)入批量生產(chǎn)階段，預(yù)計(jì)客戶最快可在2026年前收到首批采用N2工藝制造的芯片。而首個(gè)嘗鮮這一先進(jìn)工藝的客戶，很可能是科技巨頭蘋(píng)果。

也有分析認(rèn)為，如果每片晶圓3萬(wàn)美元的報(bào)價(jià)是準(zhǔn)確的，那么使用N2而不是N3（在獲得15%的晶體管密度的同時(shí)提高性能并降低功耗）是否對(duì)臺(tái)積電的所有客戶都有很大的經(jīng)濟(jì)意義還有待觀察。蘋(píng)果公司準(zhǔn)備在2025年下半年使用N2，因?yàn)樗磕甓夹枰倪M(jìn)iPhone、iPad和Mac的處理器（盡管預(yù)計(jì)這些產(chǎn)品只有在2026年才能獲得N2芯片）。其他大客戶通常在1.5—2年內(nèi)趕上蘋(píng)果，所以到那時(shí)報(bào)價(jià)可能會(huì)低一點(diǎn)。

本周四，臺(tái)積電和芯片封裝公司Amkor宣布，兩家公司已簽署了一份諒解備忘錄，將在美國(guó)亞利桑那州合作進(jìn)行芯片生產(chǎn)、封裝和測(cè)試。

兩家公司在一份新聞稿中表示，他們?cè)趤喞Ｄ侵莸墓S非常接近，將加快整個(gè)芯片制造過(guò)程。根據(jù)協(xié)議，臺(tái)積電將采用Amkor計(jì)劃在亞利桑那州皮奧里亞市興建之新廠所提供的一站式（Turnkey）先進(jìn)封裝與測(cè)試服務(wù)。臺(tái)積電將利用這些服務(wù)來(lái)支持其客戶，特別是那些使用臺(tái)積電在鳳凰城先進(jìn)晶圓制造設(shè)施的客戶。臺(tái)積電位于亞利桑那州的前段晶圓制造廠與Amkor近在咫尺的后段封測(cè)廠之間的緊密合作，將縮短整體產(chǎn)品的生產(chǎn)周期。

臺(tái)積電早些時(shí)候承諾在亞利桑那州鳳凰城建造一座價(jià)值400億美元的芯片制造廠，這為與Amkor的這筆交易奠定了基礎(chǔ)。

蘋(píng)果去年證實(shí)，Amkor將對(duì)附近臺(tái)積電工廠生產(chǎn)的AppleSilicon芯片進(jìn)行封裝?？萍加浾逿imCulpan最近報(bào)道稱，臺(tái)積電美國(guó)工廠已開(kāi)始小規(guī)模生產(chǎn)A16芯片，該芯片于兩年前在iPhone 14 Pro機(jī)型中首次亮相，iPhone 15和iPhone 15 Plus機(jī)型也使用A16芯片。