韓國(guó)計(jì)劃到2031年制定39項(xiàng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)
韓國(guó)標(biāo)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)周一表示，計(jì)劃到2031年在半導(dǎo)體行業(yè)制定39項(xiàng)新的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，以增強(qiáng)韓國(guó)在該領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。
韓國(guó)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)院（KATS）在一個(gè)行業(yè)論壇上公布了這一路線圖，作為其更廣泛戰(zhàn)略的一部分，旨在早日在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)取得領(lǐng)先地位。
該機(jī)構(gòu)的目標(biāo)是，到2027年，在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域制定15項(xiàng)以上的新國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，到2031年，將制定39項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)。
韓國(guó)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)院院長(zhǎng)Oh Kwang-hae表示：“我們將通過(guò)積極的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)化努力，支持學(xué)術(shù)界、產(chǎn)業(yè)界和研究界專家的努力，確保韓國(guó)在半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)先地位?！?/p>
標(biāo)簽： 韓國(guó) 國(guó)際標(biāo)準(zhǔn) 半導(dǎo)體
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